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XP161A1355PR
1个N沟道 耐压:20V 电流:4A
- 描述
- N沟道,20V,4A
- 品牌名称
- TOREX(特瑞仕)
- 商品型号
- XP161A1355PR
- 商品编号
- C216675
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 输入电容(Ciss) | 390pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品概述
XP161A1355PR-G是一款N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和超高速开关特性。 由于可实现高速开关，因此可以高效设置IC，从而节省能源。 内置栅极保护二极管，可防止静电损坏。 小型SOT - 89封装使高密度安装成为可能。
商品特性
- 低导通电阻:在Vgs = 4.5V时,Rds (on) = 0.05 Ω
- 在Vgs = 2.5V时,Rds (on) = 0.07Ω
- 在Vgs = 1.5V时,Rds (on) = 0.15Ω
- 超高速开关
- 内置栅极保护二极管
- 驱动电压:1.5V
- N沟道功率MOSFET
- DMOS结构
- 小型封装:SOT - 89
- 环保:符合欧盟RoHS标准,无铅
应用领域
- 笔记本电脑
- 手机和便携式电话
- 车载电源
- 锂离子电池系统