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UCC21756QDWRQ1

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描述: 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器，专为最高 2121V 直流工作电压的碳化硅 MOSFET 和 IGBT 设计，具有先进的保护功能、一流的动态性能和耐用性。具有高达 ±10A 的峰值源电流和灌电流。输入侧与输出侧采用二氧化硅电容隔离技术，支持最高 1.5kV RMS 工作电压、12.8kV 峰值浪涌抗扰度，隔离屏障寿命超过 40 年，同时提供低的器件间偏差和大于 150V/ns 的共模噪声抗扰度 (CMTI)。具备先进的保护功能，如快速过流和短路检测、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源欠压锁定，以优化碳化硅和 IGBT 的开关性能和耐用性
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: UCC21756QDWRQ1
商品编号: C20346021
商品封装: SOIC-16
包装方式: 编带
商品毛重: 0.304064克(g)

商品参数

参数完善中

5.7 kVRMS单通道隔离式栅极驱动器
通过AEC-Q100认证，结果如下：
- 器件温度等级0：环境工作温度范围为-40℃至+150℃
- 器件HBM ESD分类等级为3A
- 器件CDM ESD分类等级为C6
- 提供功能安全质量管理文档，以辅助功能安全系统设计
适用于最高2121 Vpk的SiC MOSFET和IGBT
最大输出驱动电压（VDD - VEE）为33 V
±10 A驱动强度和分离式输出
最小共模瞬态抗扰度（CMTI）为150 V/ns
具有5 V阈值、响应时间为200 ns的快速去饱和（DESAT）保护
4 A内部有源米勒钳位
故障发生时900 mA软关断
带PWM输出的隔离式模拟传感器，用于：
- 使用NTC、PTC或热敏二极管进行温度传感
- 高压直流母线或相电压测量
过流时发出告警FLT信号，可通过RST/EN复位
RST/EN引脚实现快速使能/禁用响应
输入引脚可抑制小于40 ns的噪声瞬变和脉冲
12 V VDD欠压锁定（UVLO），RDY引脚指示电源正常
输入/输出具备高达5 V的过冲或欠冲瞬态电压抗扰度
最大传播延迟为130 ns，最大脉冲/部件偏斜为30 ns
采用SOIC - 16 DW封装，爬电距离和电气间隙>8 mm
工作结温范围为-40℃至150℃