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UCC28C55QDRQ1

适用于Si和SiC MOSFET的汽车类低功耗、电流模式、高性能PWM控制器

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描述: 高性能电流模式PWM控制器，可用于驱动各种应用中的Si和SiC MOSFET。除持续支持Si MOSFET的现有UVLO阈值外，还具有可确保SiC MOSFET可靠运行的新UVLO阈值。VDD绝对最大额定电压从20V增加至30V，便于以理想方式驱动20Vgs、18Vgs或15Vgs SiC MOSFET的栅极，同时可无需使用外部LDO。器件性能也有所改进，如52kHz时的电源电流从2.3mA降至1.3mA，启动电流上限值从100μA降至75μA，基准电压精度从±2%提升至±1%等。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: UCC28C55QDRQ1
商品编号: C20346039
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.138克(g)

商品参数

商品概述

UCC28C5x-Q1 系列器件为高性能电流模式 PWM 控制器，可用于驱动各种应用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是 UCC28C4x-Q1 的更高效、更稳健的版本。除持续支持 Si MOSFET 的现有 UVLO 阈值(UCC28C50 - 55-Q1) 外，UCC28C5x-Q1 系列还具有可确保 SiC MOSFET 可靠运行的新 UVLO 阈值(UCC28C56 - 59-Q1)。 VDD 绝对最大额定电压从 20V 增加至 30V，便于以理想方式驱动 20Vgs、18Vgs 或 15Vgs SiC MOSFET 的栅极，同时可无需使用外部 LDO。

商品特性

支持 Si 和 SiC MOSFET 应用的欠压锁定选项
30V VDD 绝对最大电压
1MHz 最大固定频率工作
50μA 启动电流，最大值 75μA
低工作电流：1.3mA（fOSC = 52kHz）
高工作 TJ:150℃（最大值）
35ns 快速逐周期过流限制
峰值驱动电流为 ±1A
轨到轨输出：
- 25ns 上升时间
- 20ns 下降时间
精度为 ±1% 的 2.5V 误差放大器基准
与 UCC28C4x-Q1 引脚对引脚兼容的可直接替代产品
提供功能安全
- 可帮助进行功能安全系统设计的文档
具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
- 器件温度等级 1:-40℃ 至 125℃
- 器件 HBM 分类等级 2:±2kV
- 器件 CDM 分类等级 C4B：750V

应用领域

牵引逆变器
高压转低压备用电源
OBC 和直流/直流转换器
隔离式偏置电源
HVAC 压缩机高压隔离式电源
交流和直流 EV 充电设备中的单端直流转换器

优惠活动

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(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个2500个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交1单

	属性	参数值
	商品目录	DC-DC电源芯片
	功能类型	-；-
	工作电压	30V；30V
	输出电压	-；-
	输出电流	200mA；200mA
	开关频率	50kHz~57kHz
	工作温度	-40℃~+150℃

	属性	参数值
	同步整流	否
	输出通道数	1
	拓扑结构	反激式
	静态电流(Iq)	-
	开关管(内置/外置)	外置
	输出类型	-