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UCC28C57HDR

适用于Si和SiCMOSFET的BiCMOS低功耗电流模式PWM控制器

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描述: 高性能电流模式PWM控制器，可驱动各种应用中的Si和SiC MOSFET。除持续支持Si MOSFET的现有UVLO阈值外，还具有可确保SiC MOSFET可靠运行的新UVLO阈值。VDD绝对最大额定电压从20V增加至30V，便于以理想方式驱动20Vgs、18Vgs或15Vgs SiC MOSFET的栅极，同时可无需使用外部LDO。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: UCC28C57HDR
商品编号: C20346043
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.175克(g)

商品参数

	属性	参数值
	拓扑结构	反激式
	功能特性	过压保护(OVP)；斜坡补偿；过热保护(OTP)；欠压锁定；短路保护(SCP)；欠压保护(UVP)；过流保护(OCP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输出电压	28V
	反馈方式	副边反馈

商品概述

UCCx8C5x 系列器件为高性能电流模式 PWM 控制器，可驱动各种应用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4x 的更高效、更稳健的版本。除持续支持 Si MOSFET 的现有 UVLO 阈值 (UCCx8C50-55) 外，UCCx8C5x 系列还具有可确保 SiC MOSFET 可靠运行的新 UVLO 阈值 (UCC28C56-59)。VDD 最大额定电压从 20V 增加至 30V，便于以理想方式驱动 20Vgs、18Vgs 或 15Vgs SiC MOSFET 的栅极，同时可无需使用外部 LDO。UCCx8C5x 系列采用 8 引脚 VSSOP (DGK) 和 8 引脚 SOIC (D) 封装。要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

商品特性

支持 Si 和 SiC MOSFET 应用的欠压锁定选项
30V VDD最大电压
1MHz 最大固定频率工作
50μA 启动电流，最大值 75μA
低工作电流: 1.3mA（fOSC = 52kHz）
35ns 快速逐周期过流限制
峰值驱动电流为 ±1A
轨到轨输出
25ns上升时间
20ns 下降时间
精度为 ±1% 的 2.5V 误差放大器基准
提供功能安全
可帮助进行功能安全系统设计的文档

应用领域

通用单端直流/直流或离线隔离式电源转换器
太阳能逆变器、电机驱动器、储能系统的辅助电源
EV 充电站的隔离式电源

	属性	参数值
	商品目录	AC-DC控制器和稳压器
	是否隔离	隔离
	工作电压	12V~28V
	输出电流	200mA
	最大占空比	50%