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UCC28C53DR
低功耗电流模式高性能PWM控制器
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- 描述
- UCC28C53DR是一款低功耗电流模式高性能PWM控制器,用于Si和SiC MOSFET。它具有扩展的VDD绝对最大电压（从20V到30V）,支持Si和SiC MOSFET应用,同时允许排除外部LDO。该控制器具有1MHz的最大固定频率操作,50 μA的启动电流,±1%的2.5V误差放大器参考电压,最小封装选项为VSSOP (8)。
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- UCC28C53DR
- 商品编号
- C20346032
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | AC-DC控制器和稳压器 | |
| 是否隔离 | 隔离 | |
| 工作电压 | 7.6V~8.4V | |
| 开关频率 | 50.5kHz~55kHz | |
| 最大占空比 | 96% |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拓扑结构 | 反激式 | |
| 特性 | 过热保护(OTP)；短路保护(SCP)；欠压保护(UVP)；过压保护(OVP)；过流保护(OCP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 反馈方式 | 副边反馈 |
商品概述
UCCx8C5x系列器件是高性能电流模式PWM控制器，可在各种应用中驱动Si和SiC MOSFET。UCCx8C5x系列是UCCx8C4x的更高效、更可靠版本。 除了现有的支持Si MOSFET的欠压锁定（UVLO）阈值（UCCx8C50 - 55）外，UCCx8C5x系列还具备新的UVLO阈值，可确保SiC MOSFET可靠运行（UCC28C56 - 59）。 VDD绝对最大电压额定值从20V扩展到30V，可优化驱动20 - Vgs、18–Vgs或15 - Vgs的SiC MOSFET栅极，同时无需外部LDO。 UCCx8C5x系列采用8引脚VSSOP（DGK）和8引脚SOIC（D）封装。
商品特性
- 欠压锁定选项，支持Si和SiC MOSFET应用
- 30V VDD绝对最大电压
- 1MHz最大固定频率工作
- 50μA启动电流，最大75μA
- 低工作电流：1.3mA（fOSC = 52kHz时）
- 快速35ns逐周期过流限制
- ±1A峰值驱动电流
- 轨到轨输出 – 25ns上升时间，20ns下降时间
- ±1%精度的2.5V误差放大器基准
- 引脚兼容，可直接替代UCCx8C4x
- 提供功能安全相关文档，助力功能安全系统设计
应用领域
- 通用单端DC - DC或离线隔离式电源转换器
- 太阳能逆变器、电机驱动器、储能系统的辅助电源
- 电动汽车充电站的隔离式电源