UCC28C54DR
200mA 30V
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- 描述
- 高性能电流模式PWM控制器,可驱动各种应用中的Si和SiCMOSFET。是UCCx8C4x的更高效、更稳健的版本。除持续支持SiMOSFET的现有UVLO阈值外,还具有可确保SiCMOSFET可靠运行的新UVLO阈值。VDD绝对最大额定电压从20V增加至30V,便于以理想方式驱动20Vgs、18Vgs或15Vgs SiCMOSFET的栅极,同时可无需使用外部LDO。
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- UCC28C54DR
- 商品编号
- C20346035
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
UCCx8C5x 系列器件为高性能电流模式 PWM 控制器,可驱动各种应用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4x 的更高效、更稳健的版本。除持续支持 Si MOSFET 的现有 UVLO 阈值 (UCCx8C50-55) 外,UCCx8C5x 系列还具有可确保 SiC MOSFET 可靠运行的新 UVLO 阈值 (UCC28C56-59)。VDD 最大额定电压从 20V 增加至 30V,便于以理想方式驱动 20Vgs、18Vgs 或 15Vgs SiC MOSFET 的栅极,同时可无需使用外部 LDO。UCCx8C5x 系列采用 8 引脚 VSSOP (DGK) 和 8 引脚 SOIC (D) 封装。
商品特性
- 支持 Si 和 SiC MOSFET 应用的欠压锁定选项
- 30V VDD最大电压
- 1MHz 最大固定频率工作
- 50μA 启动电流,最大值 75μA
- 低工作电流: 1.3mA(fOSC = 52kHz)
- 35ns 快速逐周期过流限制
- 峰值驱动电流为 ±1A
- 轨到轨输出
- 25ns上升时间
- 20ns下降时间
- 精度为 ±1% 的 2.5V 误差放大器基准
- 提供功能安全
- 可帮助进行功能安全系统设计的文档
应用领域
- 通用单端直流/直流或离线隔离式电源转换器
- 太阳能逆变器、电机驱动器、储能系统的辅助电源
- EV 充电站的隔离式电源



