UCC28C55DR

UCCx8C5x 系列器件为高性能电流模式 PWM 控制器，可驱动各种应用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4x 的更高效、更稳健的版本。 除持续支持 Si MOSFET 的现有 UVLO 阈值(UCCx8C50 - 55) 外，UCCx8C5x 系列还具有可确保 SiC MOSFET 可靠运行的新 UVLO 阈值(UCC28C56 - 59)。 VDD 绝对最大额定电压从 20V 增加至 30V，便于以理想方式驱动 20Vgs、18Vgs 或 15Vgs SiC MOSFET 的栅极，同时可无需使用外部 LDO。 UCCx8C5x 系列采用 8 引脚 VSSOP (DGK) 和 8 引脚 SOIC (D) 封装。 UCCx8C5x 系列控制集成电路提供了实现交流/直流或直流/直流固定频率电流模式控制方案所需的各种特性，并且需要的外部元件数量很少。保护电路包含欠压锁定 (UVLO) 和电流限制。内部实现的电路包括小于 75μA 的启动电流、经过修整以保证误差放大器输入处精度的精密基准、确保锁存操作的逻辑、同时提供限流控制的脉宽调制(PWM) 比较器以及设计用于拉取或灌入高峰值电流的输出级。输出级适合用于驱动 N 沟道 MOSFET，当处于关闭状态时为低电平。振荡器具有经过修整的放电电流，支持对最大占空比和死区时间限制进行精确编程，因此该器件非常适合高速应用。 这些系列的成员之间的主要差异是 UVLO 阈值、可接受的环境温度范围、最大占空比和频率。UCCx8C52 和 UCCx8C54 器件具有 14.5V（导通）和 9V（关断）的典型 UVLO 阈值，因此非常适合离线交流/直流应用。UCCx8C53 和 UCCx8C55 器件具有 8.4V（导通）和 7.6V（关断）的典型阈值，因此非常适合与直流/直流应用中的稳压输入电压配合使用。UCCx8C50 和 UCCx8C51 具有 7V 的启动阈值和 6.6V 的关断阈值，因此非常适合电池供电型应用。UCC28C56H/L、UCC28C57H/L、UCC28C58 和 UCC28C59 可以在更高的 UVLO 阈值下运行，以在高压应用中可靠地驱动 SiC MOSFET。UCC28C56H 和 UCC28C57H 的启动阈值为 18.8V（导通），停止阈值为 15.5V（关断）。UCC28C56L 和 UCC28C57L 的启动阈值为 18.8V（导通），停止阈值为 14.5V（关断）。UCC28C58 和 UCC28C59 的启动阈值为 16V（导通），停止阈值为 12.5V（关断）。UCCx8C50、UCCx8C52、UCCx8C53、UCC28C56H/L 和 UCC28C58 器件可在接近 100% 的占空比下运行。通过添加内部切换触发器，UCCx8C51、UCCx8C54、UCCx8C55、UCC28C57H/L 和 UCC28C59 器件可在 0% 到 50% 的占空比下运行，每隔一个时钟周期就对输出消隐。UCC28C5x 系列的工作温度范围为 – 40°C 至 125°C，而 UCC38C5x 系列的工作温度范围为 0°C 至 85°C。

• 支持 Si 和 SiC MOSFET 应用的欠压锁定选项
• 30V VDD 绝对最大电压
• 1MHz 最大固定频率工作
• 50μA 启动电流，最大值
• 75μA 低工作电流: 1.3mA（fOSC = 52kHz）
• 35ns 快速逐周期过流限制
• 峰值驱动电流为 ±1A
• 轨到轨输出
• 25ns 上升时间
• 20ns 下降时间
• 精度为 ±1% 的 2.5V 误差放大器基准
• 与 UCCx8C4x 引脚对引脚兼容的可直接替代产品
• 提供功能安全，可帮助进行功能安全系统设计的文档

• 通用单端直流/直流或离线隔离式电源转换器
• 太阳能逆变器、电机驱动器、储能系统的辅助电源
• EV 充电站的隔离式电源