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UCC28C50QDRQ1
200mA 6.5V~30V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- UCC28C50QDRQ1
- 商品编号
- C20346025
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DC-DC电源芯片 | |
| 功能类型 | - | |
| 工作电压 | 6.5V~30V | |
| 输出电压 | - | |
| 输出电流 | 200mA | |
| 开关频率 | 53kHz | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(TJ) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 同步整流 | - | |
| 输出通道数 | 1 | |
| 拓扑结构 | 反激式 | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 开关管(内置/外置) | 内置 | |
| 输出类型 | - |
商品概述
UCC28C5x - Q1系列器件是高性能电流模式PWM控制器，可用于在各种应用中驱动Si和SiC MOSFET。UCC28C5x - Q1系列是UCC28C4x - Q1的更高效、更强大版本。UCC28C5x - Q1系列具有新的欠压锁定（UVLO）阈值，可实现可靠的SiC MOSFET操作（UCC28C56 - 59 - Q1），此外还保留了现有的UVLO阈值以继续支持Si MOSFET（UCC28C50 - 55 - Q1）。VDD绝对最大电压额定值从20 V扩展到30 V，以优化驱动20 - Vgs、18 - Vgs或15 - Vgs的SiC MOSFET的栅极，同时还允许不使用外部LDO。
商品特性
- 具有欠压锁定选项，支持Si和SiC MOSFET应用
- 30 - V VDD绝对最大电压
- 1 - MHz最大固定频率工作
- 50 - μA启动电流，最大75 - μA
- 低工作电流：在f_OSC = 52 kHz时为1.3 mA
- 高工作结温：最高150℃
- 快速35 - ns逐周期过流限制
- ±1 - A峰值驱动电流
- 轨到轨输出：
- 25 - ns上升时间
- 20 - ns下降时间
- ±1%精度的2.5 - V误差放大器参考电压
- 与UCC28C4x - Q1引脚兼容，可直接替代
- 具备功能安全能力
- 提供有助于功能安全系统设计的文档
- 通过AEC - Q100认证，结果如下：
- 器件温度等级1：- 40°C至125°C
- 器件HBM分类等级2：±2 kV
- 器件CDM分类等级C4B：750 V
应用领域
- 牵引逆变器高压到低压备用电源
- 车载充电机（OBC）和DC/DC转换器隔离偏置电源
- 暖通空调（HVAC）压缩机高压隔离电源
- 交直流电动汽车充电设备中的单端DC转换器