TPSI2140Q1EVM

TPSI2140Q1EVM是一块四层铜板，包含多个测试点和跳线，可全面评估该器件的功能。初级侧由四个差分驱动器组成，用于为每个部分提供电源并传输使能逻辑信息。TPSI2140 - Q1是一款3.75 kVrms的隔离开关。该评估板的输入和输出连接采用接线端子，便于进行有线连接。TPSI2140Q1EVM包含多个用于监测TPSI2140 - Q1功能的测试点。TPSI2140 - Q1是一款为高压汽车和工业应用设计的隔离固态继电器，如电池管理系统、电动汽车/混合动力汽车车载充电器、机械继电器替换、直流母线预充电等。它能无缝替换继电器，无需二次侧电源，采用集成在紧凑SOIC封装中的独特隔离技术。该器件整个初级侧仅需9 mA的输入电流，用户可通过单个微控制器GPIO驱动VDD和EN引脚，无需采用光MOS解决方案中使用的外部低端开关。次级侧由背对背MOSFET组成，从S1到S2的耐压为±1.2 kV。TPSI2140 - Q1的MOSFET具有雪崩鲁棒性和热优化封装设计，可在无需任何外部组件的情况下承受系统级高压（HiPot）筛选和高达2 mA的直流快速充电器浪涌电流。

• 隔离：3.75 kVRMS
• 集成耐压1200 V的雪崩额定MOSFET
• 通过汽车应用认证：AEC - Q100
• 初级侧电源电流低，导通状态9 mA，关断状态1.5 μA
• 每个引脚和电源都设有测试点，以确保功能正常

• 混合动力汽车/电动汽车绝缘电阻监测
• 太阳能逆变器
• 工业电机驱动
• 电池管理系统
• 车载充电器