BSH121,135
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管。
商品特性
- TrenchMOSTM技术
- 极快的开关速度
- 低阈值电压
- 超小型表面贴装封装
应用领域
- 电池管理
- 高速开关
- 逻辑电平转换器
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