BUK7513-75B,127
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 157W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品已根据相关AEC标准进行设计和认证,适用于汽车关键应用。
商品特性
- 符合AEC Q101标准
- 低导通电阻,传导损耗低
应用领域
- 汽车及通用功率开关
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