BUK7E2R3-40C,127
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 333W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 175nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.323nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.508nF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.927nF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和认证，可用于汽车关键应用。
商品特性
- 符合AEC Q101标准
- 适用于标准电平栅极驱动
- 雪崩耐受性强
- 适用于最高175°C额定温度的高散热需求环境
应用领域
- 12V电机、灯具和螺线管负载
- 高性能脉冲宽度调制(PWM)应用
- 高性能汽车电源系统