BUK9520-100B,127
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 203W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53.4nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.657nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 201pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 411pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、采用小型SOT23表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 符合AEC-Q101标准
- 低导通电阻,传导损耗低
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
- 额定温度175°C,适用于对散热要求高的环境
应用领域
- 12 V、24 V和42 V负载
- 汽车及通用电源开关
- 电机、灯具和螺线管