BUK9520-100B,127
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 203W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53.4nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.657nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 201pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 411pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、采用小型SOT23表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
~~- 低阈值电压-低导通电阻-沟槽MOSFET技术-增强的1096 mW功率耗散能力-通过AEC-Q101认证
应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-高端负载开关-开关电路