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场效应管(MOSFET)
PSMN013-100ES,127
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品牌名称
NXP(恩智浦)
商品型号
PSMN013-100ES,127
商品编号
C20234310
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)
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商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
68A
导通电阻(RDS(on))
13.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)
170W
阈值电压(Vgs(th))
4V@1mA
属性
参数值
栅极电荷量(Qg)
59nC@10V
反向传输电容(Crss)
136pF
工作温度
-55℃~+175℃
类型
N沟道
输出电容(Coss)
221pF
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