BUK663R5-55C,118
BUK663R5-55C,118
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- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- BUK663R5-55C,118
- 商品编号
- C20233856
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 263W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 191nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.516nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 742pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 982pF |
商品概述
采用先进TrenchMOS技术的塑料封装标准电平栅极驱动N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和鉴定，适用于高性能汽车应用。
商品特性
- 符合AEC Q101标准
- 额定温度达175°C,适用于对散热要求高的环境
- 适用于标准和逻辑电平栅极驱动源
应用领域
- 12 V和24 V汽车系统
- 启停微混合动力应用
- 电动和电液动力转向系统
- 变速器控制
- 电机、灯具和螺线管控制
- 超高性能功率开关
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