BUK6E3R4-40C,127
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 204W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 700pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 870pF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和认证，适用于汽车关键应用。
商品特性
- 低导通电阻，传导损耗低
- 适用于标准电平栅极驱动源
- 符合Q101标准
- 额定温度达175°C，适用于对散热要求高的环境
应用领域
- 12 V负载
- 电机、灯具和螺线管
- 汽车及通用电源开关
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