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M95640-DRDW3TP/K

支持高速时钟的汽车级64 Kbit串行SPI总线EEPROM

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描述: 汽车用64 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M95640-DRDW3TP/K
商品编号: C2061656
商品封装: TSSOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.13克(g)

商品参数

	属性	参数值
	数据保留 - TDR(年)	100年
	写周期寿命	400万次
	功能特性	内置上电复位(POR)；页写保护功能；硬件写保护功能；内置错误纠正码(ECC)功能；内置写使能锁存器(WEL)
	工作电压	1.7V~5.5V
	工作温度	-40℃~+125℃

商品概述

M95640-A125和M95640-A145是64-Kbit串行EEPROM汽车级器件，工作温度最高可达145℃，符合汽车标准AEC-Q100等级0定义的很高可靠性要求。器件通过简单的串行SPI兼容接口访问，最高速率可达20MHz。存储阵列基于先进的真EEPROM技术（电可擦可编程存储器），是字节可修改的存储器（8192×8位），组织为256页，每页32字节。

商品特性

兼容串行外设接口（SPI）总线
64 Kbit（8 Kbyte）EEPROM，页大小为32字节；支持按块（1/4、1/2或整个存储器）进行写保护，另有可写锁定的标识页
扩展的温度和电压范围：最高125℃（Vcc为1.7V至5.5V），最高145℃（Vcc为2.5V至5.5V）
高速时钟频率：Vcc≥4.5V时为20MHz，Vcc≥2.5V时为10MHz，Vcc≥1.7V时为5MHz
施密特触发器输入，用于噪声滤波
短写周期时间：字节写入和页写入均在4ms内完成
写周期耐久性：25℃时为400万次，85℃时为120万次，125℃时为60万次，145℃时为40万次
数据保留时间：125℃时为50年，25℃时为100年
ESD保护（人体模型）：4000V
符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK2®）
封装类型：SO8（MN）宽度150 mil；TSSOP8（DW）宽度169 mil；WFDFPN8（MF）尺寸2×3 mm

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	SPI
	存储容量	64Kbit
	时钟频率(fc)	20MHz
	写周期时间(Tw)	4ms