71V416S12PHG8
3.3V CMOS静态随机存取存储器,4兆(256K x 16位)
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- 描述
- 是一款 4,194,304 位的高速静态随机存取存储器,组织形式为 256K x 16。采用高性能、高可靠性的 CMOS 技术制造。这种先进的技术与创新的电路设计技术相结合,为高速内存需求提供了最有效的解决方案。具有一个输出使能引脚,最快可在 5ns 内工作,地址访问时间最快可达 10ns。所有双向输入和输出均与 LVTTL 兼容,工作电源为单一的 3.3V。使用完全静态异步电路,操作无需时钟或刷新。封装形式包括 44 引脚、400 密耳塑料 SOJ 封装、44 引脚、400 密耳 TSOP II 型封装和 48 球栅阵列、9mm x 9mm 封装。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 71V416S12PHG8
- 商品编号
- C2061677
- 商品封装
- TSOPII-44-10.2mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 工作电压 | 3V~3.6V | |
| 读写时间 | 12ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 180mA | |
| 待机电流 | 20mA |
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