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RMLV0414EGSB-4S2#HA1
4Mb高级低功耗静态随机存取存储器
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- 描述
- 是一款4Mbit静态随机存取存储器，组织形式为262,144字×16位，采用高性能先进低功耗静态随机存取存储器（LPSRAM）技术制造。实现了更高的密度、更高的性能和低功耗。提供低功耗待机功耗，因此适用于电池备份系统。采用44引脚薄小外形封装（TSOP (II)）。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RMLV0414EGSB-4S2#HA1
- 商品编号
- C2061929
- 商品封装
- TSOPII-44-10.2mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 读写时间 | 45ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 10mA | |
| 待机电流 | 400nA |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 技术 | SRAM |
| 存储器格式 | SRAM |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 存储容量 | 4Mb（256K x 16） |
| 写周期时间-字，页 | 45ns |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 访问时间 | 45ns |
| 电压-供电 | 2.7V ~ 3.6V |
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