- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT47H256M8EB-25E:C TR
MT47H256M8EB 25E:C TR
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT47H256M8EB-25E:C TR
- 商品编号
- C2061932
- 商品封装
- FBGA-60(9x11.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR2 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 400MHz | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 115mA | |
| 刷新电流 | 12mA | |
| 工作温度 | 0℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 自动预充电功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品特性
- VDD = 1.8V ± 0.1V，VDDQ = 1.8V ± 0.1V
- JEDEC标准1.8V I/O（兼容SSTL_18）
- 差分数据选通（DQS、DQS#）选项
- 4n位预取架构
- x8模式下的双输出选通（RDQS）选项
- DLL用于使DQ和DQS转换与CK对齐
- 8个内部存储体，可并发操作
- 可编程CAS潜伏期（CL）
- 后置CAS附加潜伏期（AL）
- 写潜伏期 = 读潜伏期 - 1个时钟周期
- 可编程突发长度：4或8
- 可调数据输出驱动强度
- 64ms、8192周期刷新
- 片上终端（ODT）
- 工业温度（IT）选项
- 符合RoHS标准
- 支持JEDEC时钟抖动规范
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