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MT41K256M8DA-107:K
2Gb：X4、X8、X16 DDR3 SDRAM
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- 描述
- 特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V 中心端接推挽式 I/O。 差分双向数据选通。 8n 位预取架构
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT41K256M8DA-107:K
- 商品编号
- C2063605
- 商品封装
- FBGA-78(8x10.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3L SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 933MHz | |
| 存储容量 | 2Gbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.283V~1.45V | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；输出使能；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接 |
- MT41J256M8DA-125:K TR
- MT41K128M16JT-125 XIT:K TR
- MT41K1G4DA-107:P
- MT41K256M8DA-125 IT:K
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- MT41J128M16JT-107G:K TR
- MT41K256M16TW-107 AUT:P TR
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- MT51J256M32HF-80:B TR
- EDB4432BBPA-1D-F-R TR
- EDBA164B2PR-1D-F-R TR
- EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
- MT46H64M32LFBQ-48 IT:C TR
- MT41J256M8DA-125:K TR
- IS61WV3216DBLL-10TLI-TR
- AS6C62256A-70SCNTR
- IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR
- AS6C1008-55SINLTR
- IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR
- AS7C32096A-10TCNTR
- IS25LP128-JLLE-TR
- IS43R16800E-5TL-TR
- IS37SML01G1-MLI-TR
- AS4C4M32SA-6TINTR
- 71V256SA15YGI8
- AS7C34096A-8TINTR
- IS42VM32200M-6BLI-TR
- AS4C64M16MD1A-5BINTR
- IS34ML01G081-TLI-TR
- IS42SM16200D-6BLI-TR
- IS34ML01G084-TLI-TR
- AS4C64M16D3LB-12BANTR
- AS7C34098A-10JCNTR
- AS7C34098A-10JINTR