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MT41K256M8DA-125 IT:K
2Gb：X4、X8、X16 DDR3 SDRAM
- 描述
- 特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V 中心端接推挽式 I/O。 差分双向数据选通。 8n 位预取架构
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT41K256M8DA-125 IT:K
- 商品编号
- C2063887
- 商品封装
- FBGA-78(8x10.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.395克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3L SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 800MHz | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 工作电压 | 1.283V~1.45V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 39mA | |
| 刷新电流 | 12mA | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
- MT41K64M16TW-107 AUT:J TR
- MT46V32M16P-5B XIT:J TR
- MT46V64M8CY-5B:J TR
- MT41J128M16JT-107G:K TR
- MT41K256M16TW-107 AUT:P TR
- MT41K256M16TW-093:P
- MT61K256M32JE-14:A TR
- MT40A1G8SA-062E:E
- EDB8164B4PK-1D-F-R TR
- EDB8132B4PM-1D-F-R TR
- EDB8132B4PB-8D-F-R TR
- EDB8164B4PT-1D-F-R TR
- MT51J256M32HF-80:B TR
- EDB4432BBPA-1D-F-R TR
- EDBA164B2PR-1D-F-R TR
- EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
- MT46H64M32LFBQ-48 IT:C TR
- MT44K16M36RB-093E:B TR
- MT44K16M36RB-107E:B TR
- MT44K64M18RB-093E:A TR
- EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR
- AS6C2008A-55TINTR
- 6116LA20SOGI8
- 6116LA25SOGI8
- IS42RM16800H-75BLI-TR
- IS43LR32800G-6BLI-TR
- AS4C128M8D3B-12BCNTR
- 71V416L12BEGI8
- IS43R16160F-5TL-TR
- IS45S16800F-7CTLA2-TR
- IS66WVC2M16ECLL-7010BLI-TR
- 24LC22AT-I/SN
- AS7C31024B-15JCNTR
- AT25DF011-MAHNGU-T
- AS7C31024B-12JCNTR
- AS7C1024B-15JCNTR
- DS28E07P+T
- AS7C34098A-20JCNTR
- AS7C31025B-12JCNTR
- AS7C1024B-12JCNTR
- AS7C4096A-20JINTR
- IS61WV2568EDBLL-10KLI-TR