MT41K128M16JT-125 XIT:K TR

1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据手册规格。

• VDD = VDDQ = 1.35V（1.283 - 1.45V）
• 向后兼容至 VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V
• 差分双向数据选通
• 8n 位预取架构
• 差分时钟输入（CK、CK#）
• 8 个内部存储体
• 数据、选通和掩码信号的标称和动态片上终端（ODT）
• 可编程 CAS（读取）延迟（CL）
• 可编程后置 CAS 附加延迟（AL）
• 可编程 CAS（写入）延迟（CWL）
• 固定突发长度（BL）为 8，突发截断（BC）为 4（通过模式寄存器组 [MRS]）
• 可动态选择 BC4 或 BL8
• 自刷新模式
• TC 为 95°C
• 在高达 85°C 时，64ms 内进行 8192 次刷新
• 在 85°C 至 95°C 时，32ms 内进行 8192 次刷新
• 自刷新温度（SRT）
• 自动自刷新（ASR）
• 写入电平调整
• 多功能寄存器
• 输出驱动器校准