- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
M24C16-DRMN8TP/K
M24C16 DRMN8TP/K
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- 描述
- 16 Kbit串行I2C总线EEPROM，105°C工作温度
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M24C16-DRMN8TP/K
- 商品编号
- C2061087
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 16Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 1MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 4ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 50年 | |
| 写周期寿命 | 400万次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；内置错误纠正码(ECC)功能；噪声抑制功能 | |
| 工作电压 | 1.7V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 工作电流 | 2mA | |
| 待机电流 | 3uA | |
| 读取访问时间(tA) | 450ns；900ns |
商品概述
M24C16-DRE是一款16K位串行EEPROM器件，工作温度最高可达105℃。该器件符合AEC-Q100等级2定义的可靠性标准。
商品特性
- 兼容所有I²C总线模式（1 MHz、400 kHz、100 kHz）
- 存储阵列：16K位（2KB）EEPROM，页大小为16字节
- 额外的可写锁定页（识别页）
- 扩展的温度和电压范围：-40℃至105℃；1.7V至5.5V
- 用于噪声滤波的施密特触发器输入
- 短写入周期时间：字节写入在4ms内完成，页写入在4ms内完成
- 写入周期耐久性：25℃下400万次写入周期；85℃下120万次写入周期；105℃下90万次写入周期
- 数据保留：105℃下超过50年；55℃下200年
- ESD保护（人体模型）：4000V
- 封装：符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK2®）
- 封装规格：TSSOP8（DW）宽度169 mil；SO8（MN）宽度150 mil；WFDFPN8（MF）尺寸2×3mm
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