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M24C02-DRDW8TP/K
2Kbit串行I2C总线EEPROM 105℃工作温度
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- 描述
- 2 Kbit串行I2C总线EEPROM，105°C工作温度
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M24C02-DRDW8TP/K
- 商品编号
- C2061123
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.184克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 2Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 1MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 4ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 50年 | |
| 写周期寿命 | 400万次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；噪声抑制功能；内置错误纠正码(ECC)功能 | |
| 工作电压 | 1.7V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 工作电流 | 2mA | |
| 待机电流 | 3uA | |
| 读取访问时间(tA) | 450ns |
商品概述
M24C02-DRE是一款2-Kbit串行EEPROM器件，工作温度最高可达105℃。该器件符合AEC-Q100 grade 2定义的可靠性等级。器件通过简单的串行I²C兼容接口访问，接口运行速度最高可达1MHz。内存阵列基于先进的真EEPROM技术（电可擦除可编程存储器），是一种字节可修改的存储器（256×8位），组织为16页，每页16字节，其数据完整性通过嵌入式纠错码逻辑显著提升。M24C02-DRE提供额外的识别页（16字节），可读取ST器件标识，该页也可用于存储敏感应用参数，之后可永久锁定为只读模式。
商品特性
- 兼容所有I²C总线模式（1MHz、400kHz、100kHz）
- 内存阵列：2Kbits（256字节）EEPROM，页大小16字节，额外的可写锁定页（识别页）
- 扩展的温度和电压范围：-40℃至105℃；1.7V至5.5V
- 施密特触发器输入用于噪声过滤
- 短写入周期时间：字节写入在4ms内，页写入在4ms内
- 写入周期耐久性：25℃时4百万次，85℃时1.2百万次，105℃时900k次
- 数据保留：105℃时超过50年，55℃时200年
- ESD保护（人体模型）：4000V
- 封装：RoHS合规且无卤素（ECOPACK2®）；提供TSSOP8（DW，169mil宽）、SO8（MN，150mil宽）、WFDFPN8（MF，2×3mm）封装类型