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M24C02-DRMN3TP/K

支持1 MHz时钟的汽车级2 Kbit串行I2C总线EEPROM

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描述: 汽车级2 Kbit串行I2C总线EEPROM
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M24C02-DRMN3TP/K
商品编号: C2061245
商品封装: SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.112108克(g)

商品参数

	属性	参数值
	功能特性	内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；噪声抑制功能；内置错误纠正码(ECC)功能
	工作电压	1.7V~5.5V
	工作温度	-40℃~+125℃
	工作电流	2mA
	待机电流	20uA
	读取访问时间(tA)	450ns；900ns

商品概述

M24C02-A125是一款2-Kbit串行EEPROM汽车级器件，工作温度高达125℃，符合AEC-Q100等级1的可靠性标准。该器件通过简单的串行I²C兼容接口访问，最高速率为1MHz。内存阵列基于先进的真EEPROM技术，为字节可修改内存（256×8位），组织为16页，每页16字节，嵌入式错误纠正码逻辑显著提升数据完整性。该器件提供额外的16字节识别页，可读取ST器件标识，也可存储敏感应用参数并永久锁定为只读模式。

商品特性

兼容所有I²C总线模式（1MHz、400kHz、100kHz）
内存阵列：2Kbits（256字节）EEPROM，页大小16字节
额外的可写锁定识别页（16字节）
扩展的温度和电压范围：-40℃至125℃，1.7V至5.5V
施密特触发器输入用于噪声过滤
短写入周期时间：字节写入在4ms内，页写入在4ms内
写入周期耐久性：25℃下4百万次，85℃下1.2百万次，125℃下600k次
数据保留：125℃下50年，25℃下100年
ESD保护（人体模型）：4000V
封装：TSSOP8（DW）169 mil宽度、SO8（MN）150 mil宽度、WFDFPN8（MF）2×3mm
符合RoHS和无卤素标准（ECOPACK2®）

应用领域

适用于汽车电子系统

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	I2C
	存储容量	2Kbit
	时钟频率(fc)	1MHz
	写周期时间(Tw)	4ms
	数据保留 - TDR(年)	50年
	写周期寿命	60万次