M95080-RMN6TP
带高速时钟的8K位串行SPI总线EEPROM
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 8 Kbit SPI总线EEPROM,带高速时钟
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M95080-RMN6TP
- 商品编号
- C2061335
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 8Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 20MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 | |
| 写周期寿命 | 400万次 | |
| 功能特性 | 内置上电复位(POR);软件写保护功能;硬件写保护功能;内置写使能锁存器(WEL) | |
| 工作电压 | 1.8V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
M95080系列器件是电可擦除可编程存储器(EEPROM),组织形式为1024×8位,通过SPI总线访问。M95080-W的工作电压范围为2.5V至5.5V,M95080-R为1.8V至5.5V,M95080-DF为1.7V至5.5V,环境温度范围为-40℃至+85℃。M95080-D提供额外的标识页(32字节),可用于存储敏感应用参数,且可永久锁定为只读模式。
商品特性
- 兼容串行外设接口(SPI)总线
- 存储阵列:8 Kb(1 K字节)EEPROM,页大小32字节;M95080-D包含额外的可写锁定标识页
- 写入性能:字节写入时间≤5ms,页写入时间≤5ms
- 写保护:支持四分之一、一半或整个存储阵列的写保护
- 高速时钟:20 MHz
- 单电源电压:M95080-W为2.5V~5.5V,M95080-R为1.8V~5.5V,M95080-DF为1.7V~5.5V
- 工作温度范围:-40℃至+85℃
- 增强型ESD保护
- 写入周期:超过400万次
- 数据保留时间:超过200年
- 封装形式:SO8(MN,宽度150 mil)、TSSOP8(DW,宽度169 mil)、UFDFPN8(MC,尺寸2×3 mm)
- 符合RoHS标准且无卤素(ECOPACK2®)
- M24C64-DFMN6TP
- M24C32-DRDW3TP/K
- M95040-RMC6TG
- M34E02-FMC6TG
- M95640-RMC6TG
- M95040-DRDW3TP/K
- M24C02-FMC6TG
- M95256-DRMF3TG/K
- M95512-DFMC6TG
- M24C32-FMN6TP
- M24512-DRMN3TP/K
- M95512-DRMN8TP/K
- M24128-DRMN8TP/K
- M95160-DRMN3TP/K
- M95080-DRDW3TP/K
- M95256-DFCS6TP/K
- M24128-DRDW3TP/K
- M95512-DWDW4TP/K
- M95512-DFDW6TP
- M24128-DRMN3TP/K
- M95256-DFMN6TP
- M24C64-DFMN6TP
- M24C32-DRDW3TP/K
- BR34E02NUX-WTR
- BR24T02FJ-WGE2
- 34AA04T-I/MNY
- BR93G86F-3AGTE2
- BR93H66RFVT-2CE2
- BR93G46F-3BGTE2
- 24AA16HT-I/OT
- 24AA024T-I/MNY
- BR24G16F-3GTE2
- BR24G32FJ3AGTE2TR
- AT25SF321B-SSHB-T
- 24LC02BT-E/OT
- 24CW320T-I/OT
- 25AA040AT-I/SN
- 25AA080DT-I/MNY
- BR24G16NUX-3TTR
- BR93L46RFV-WE2
- 24C01CT-I/OT
- BR24G04NUX-3TTR


