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M24128-DRDW3TP/K

支持1 MHz时钟的汽车级128 Kbit串行I2C总线EEPROM

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描述: 汽车级128 Kbit串行I2C总线EEPROM
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M24128-DRDW3TP/K
商品编号: C2061560
商品封装: TSSOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.147克(g)

商品参数

	属性	参数值
	功能特性	内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；噪声抑制功能；内置错误纠正码(ECC)功能
	工作电压	1.7V~5.5V
	工作温度	-40℃~+125℃
	工作电流	2mA
	待机电流	20uA
	读取访问时间(tA)	900ns

商品概述

M24128-A125是一款128-Kbit串行EEPROM汽车级器件，工作温度最高可达125℃。该器件符合汽车标准AEC-Q100等级1定义的高可靠性要求。器件通过简单的串行I²C兼容接口访问，运行频率最高可达1 MHz。存储阵列基于先进的真EEPROM技术（电可擦除可编程存储器），是一种字节可修改的存储器（16 K×8位），组织为256页，每页64字节，内置纠错码逻辑显著提高数据完整性。该器件提供额外的标识页（64字节），可读取ST器件标识，也可用于存储敏感应用参数，之后可永久锁定为只读模式。

商品特性

兼容所有I²C总线模式（1 MHz、400 kHz、100 kHz）
存储阵列：128 Kbit（16 K字节）EEPROM；页大小64字节；额外可写锁定的标识页
扩展的温度和电压范围：-40℃至125℃；1.7V至5.5V
施密特触发器输入用于噪声滤波
短写入周期时间：字节写入在4 ms内；页写入在4 ms内
写入周期耐久性：25℃下400万次写入周期；85℃下120万次；125℃下60万次
数据保留：125℃下50年；25℃下100年
ESD保护（人体模型）：4000V
封装：符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK2®）
提供TSSOP8（DW，169 mil宽度）、SO8（MN，150 mil宽度）、WFDFPN8（MF，2×3 mm）封装形式

应用领域

汽车领域
存储敏感应用参数场景
需要高可靠性数据存储的场景
需I²C接口访问的串行存储场景

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	I2C
	存储容量	128Kbit
	时钟频率(fc)	1MHz
	写周期时间(Tw)	4ms
	数据保留 - TDR(年)	100年
	写周期寿命	400万次