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M24512-DRMN3TP/K

支持1 MHz时钟的汽车级512 Kbit串行I2C总线EEPROM

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描述: 汽车级512 Kbit串行I2C总线EEPROM
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M24512-DRMN3TP/K
商品编号: C2061472
商品封装: SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.194克(g)

商品参数

	属性	参数值
	功能特性	内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；噪声抑制功能；内置错误纠正码(ECC)功能
	工作电压	1.7V~5.5V
	工作温度	-40℃~+125℃
	工作电流	2mA
	待机电流	20uA
	读取访问时间(tA)	450ns；900ns

商品概述

M24512-A125是一款512Kbit串行EEPROM汽车级器件，工作温度最高可达125℃，符合汽车标准AEC-Q100等级1定义的高可靠性要求。该器件通过简单的串行I²C兼容接口访问，接口运行速度最高为1MHz。内存阵列基于先进的真EEPROM技术（电可擦可编程存储器），为字节可修改存储器（64K×8位），组织为512页，每页128字节，其数据完整性通过嵌入式纠错码逻辑显著提升。M24512-A125提供额外的128字节识别页，可读取ST器件标识，也可用于存储敏感应用参数，之后可永久锁定为只读模式。

商品特性

兼容所有I²C总线模式（1MHz、400kHz、100kHz）
512Kbit（64K字节）EEPROM内存阵列
页大小为128字节
额外的可写锁定页（识别页）
扩展的温度和电压范围：-40℃至125℃；1.7V至5.5V
施密特触发器输入用于噪声滤波
短写入周期时间：字节写入在4ms内，页写入在4ms内
写入周期耐久性：25℃时400万次，85℃时125万次，125℃时60万次
数据保留能力：125℃时50年，25℃时100年
ESD保护（人体模型）达4000V
封装符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK2®）
提供多种封装类型：TSSOP8（DW，169mil宽度）、SO8（MN，150mil宽度）、WFDFPN8（MF，2×3mm）

应用领域

汽车电子领域的数据存储场景
需要高可靠性、长数据保留的嵌入式系统数据存储

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	I2C
	存储容量	512Kbit
	时钟频率(fc)	1MHz
	写周期时间(Tw)	4ms
	数据保留 - TDR(年)	100年
	写周期寿命	400万次