M95040-DRDW3TP/K

支持高速时钟的汽车级 4Kbit 串行 SPI 总线 EEPROM

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描述: 汽车用4 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M95040-DRDW3TP/K
商品编号: C2061388
商品封装: TSSOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.147克(g)

商品参数

	属性	参数值
	功能特性	内置上电复位(POR)；页写保护功能；硬件写保护功能；内置错误纠正码(ECC)功能；内置写使能锁存器(WEL)
	工作电压	1.7V~5.5V
	工作温度	-40℃~+125℃
	工作电流	3mA
	待机电流	6uA
	读取访问时间(tA)	-

商品概述

M95040-A125和M95040-A145是4-Kbit串行EEPROM汽车级器件，提供多种封装选项：SO8(MN)（宽度150 mil）、TSSOP8(DW)（宽度169 mil）、WFDFPN8(MF)（尺寸2×3毫米）。它们工作温度最高可达145℃，符合汽车标准AEC-Q100等级0定义的高可靠性要求。这些器件通过简单的串行SPI兼容接口访问，接口速度最高可达20 MHz。存储阵列基于真正的EEPROM技术（电可擦除可编程存储器），是字节可修改存储器（512×8位），组织为32页，每页16字节，其数据完整性通过嵌入式纠错码显著提升。

商品特性

兼容串行外设接口（SPI）总线
4 Kbit（512字节）EEPROM；页大小：16字节；按块写保护：1/4、1/2或整个存储器；额外可写锁定页（识别页）
扩展的温度和电压范围：最高125℃（Vcc从1.7V到5.5V）；最高145℃（Vcc从2.5V到5.5V）
高速时钟频率：Vcc≥4.5V时为20 MHz；Vcc≥2.5V时为10 MHz；Vcc≥1.7V时为5 MHz
施密特触发器输入用于噪声滤波
短写入周期时间：字节写入在4 ms内；页写入在4 ms内
写入周期耐久性：25℃下400万次写入周期；85℃下120万次写入周期；125℃下60万次写入周期；145℃下40万次写入周期
数据保留：125℃下50年；25℃下100年
ESD保护（人体模型）：4000 V
封装：符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK2®）

应用领域

汽车领域
需高可靠性和宽温范围的串行存储场景
嵌入式系统中的数据存储应用
汽车电子设备中的非易失性数据存储需求
工业控制或汽车级环境下的SPI总线设备集成场景
对数据完整性和写入耐久性有要求的存储应用
需低功耗和高速接口的存储解决方案
符合AEC-Q100等级0标准的汽车级应用场景
需噪声滤波和ESD保护的存储设备应用
支持块写保护和识别页锁定的存储需求场景
需长数据保留时间的存储应用
多种封装形式适配不同PCB设计需求的场景
宽电压范围（1.7V至5.5V）下稳定工作的存储设备应用
高速时钟频率（最高20 MHz）的SPI接口存储设备应用
字节或页写入模式的灵活存储操作场景
嵌入式纠错码提升数据完整性的存储应用
符合RoHS和无卤素要求的环保型存储设备应用
汽车级高可靠性标准的存储解决方案
适用于汽车电子、工业控制等严苛环境的存储设备
支持SPI总线协议的串行EEPROM存储设备应用
需高写入周期耐久性的存储设备应用
宽温度范围（最高145℃）下稳定工作的存储设备应用
支持写保护和锁定功能的存储设备应用
多种封装尺寸适配不同空间限制的PCB设计需求
电可擦除可编程存储器（EEPROM）技术的存储设备应用
字节可修改的非易失性存储设备应用
支持识别页读写和锁定功能的存储设备应用
符合汽车标准AEC-Q100等级0的高可靠性存储设备应用
适用于汽车电子系统中的数据存储需求
需高速接口和低功耗的存储设备应用
支持施密特触发器输入的抗噪声存储设备应用
短写入周期时间的高效存储设备应用
长数据保留时间的非易失性存储设备应用
支持多种写保护模式的存储设备应用
适用于汽车级环境的高可靠性存储解决方案
符合环保标准的存储设备应用
支持SPI总线协议的串行存储设备应用
需高写入周期耐久性的存储设备应用
宽电压和温度范围的存储设备应用
嵌入式纠错码提升数据完整性的存储设备应用
多种封装形式的存储设备应用
汽车级高可靠性的存储设备应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	SPI
	存储容量	4Kbit
	时钟频率(fc)	20MHz
	写周期时间(Tw)	4ms
	数据保留 - TDR(年)	100年
	写周期寿命	400万次