商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 2Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 100kHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | 40年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 | |
| 工作电压 | 1.7V~3.6V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
BR34E02 - W 是 256×8 位电可擦除 PROM(基于串行存在检测)
商品特性
- 256×8 位架构串行 EEPROM
- 宽工作电压范围:1.7V - 3.6V
- 两线串行接口
- 使用金焊盘和金线实现高可靠性连接
- 自定时擦除和写入周期
- 页写入功能(16 字节)
- 写保护模式
- 可设置可逆写保护功能:00h - 7Fh
- 写保护 1(一次性只读存储器):00h - 7Fh
- 写保护 2(硬连线 WP 引脚):00h - FFh
- 低功耗
- 写入(1.7V 时):0.4mA(典型值)
- 读取(1.7V 时):0.1mA(典型值)
- 待机(1.7V 时):0.1µA(典型值)
- 数据安全
- 写保护功能(WP 引脚)
- 在低 Vcc 时禁止写入
- 高可靠性精细图案 CMOS 技术
- 可重写多达 1,000,000 次
- 数据保留:40 年
- SCL / SDA 输入采用降噪滤波
- 所有地址初始数据为 FFh
- BR24T02FJ-WGE2
- BR93G86F-3AGTE2
- BR93H66RFVT-2CE2
- BR93G46F-3BGTE2
- BR24G16F-3GTE2
- BR24G32FJ3AGTE2TR
- BR24G16NUX-3TTR
- BR93L46RFV-WE2
- BR24G04NUX-3TTR
- BR24G08NUX-3ATTR
- BR24T32NUX-WTR
- BR93G56FVT-3BGE2
- BR93G76FVJ-3BGTE2
- BR24G16FJ-3AGTE2
- BR93G86NUX-3BTTR
- BR93H56RFJ-2CE2
- BR93G76FVJ-3GTE2
- BR25G320FJ-3GE2
- BR25G640FJ-3GE2
- BR25G320NUX-3TR
- BR24S16F-WE2
- BR24T02FJ-WGE2
- BR93G86F-3AGTE2
- BR93H66RFVT-2CE2
- BR93G46F-3BGTE2
- BR24G16F-3GTE2
- BR24G32FJ3AGTE2TR
- BR24G16NUX-3TTR
- BR93L46RFV-WE2
- BR24G04NUX-3TTR
- M24C64-DFMN6TP
- 34AA04T-I/MNY
- 24AA16HT-I/OT
- 24AA024T-I/MNY
- AT25SF321B-SSHB-T
- 24LC02BT-E/OT
- 24CW320T-I/OT
- 25AA040AT-I/SN
- 25AA080DT-I/MNY
- M24C32-DRDW3TP/K
- 24C01CT-I/OT
- AT21CS01-STUM14-T
