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M24C32-FDW6TP
32 Kbit串行I2C总线EEPROM
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- 描述
- 32 Kbit串行I2C总线EEPROM
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M24C32-FDW6TP
- 商品编号
- C2061249
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.062353克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 32Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 1MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 | |
| 写周期寿命 | 400万次 | |
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；内置错误纠正码(ECC)功能 | |
| 工作电压 | 1.7V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
该产品提供多种封装形式，包括PDIP8（BN）、TSSOP8（DW，宽度169 mil）、SO8（MN，宽度150 mil）、UFDFPN8（MC，DFN8-2×3 mm）、UFDFPN5（MH，DFN5-1.7×1.4 mm）、WLCSP（CU）以及未切割晶圆。
商品特性
- 兼容所有I²C总线模式：1 MHz、400 kHz、100 kHz
- 存储阵列：32 Kbit（4 Kbyte）EEPROM；页大小：32字节；M24C32-D型号包含额外可写锁定页
- 单电源电压：在-40℃至+85℃温度范围内为1.7V至5.5V；在-20℃至+85℃温度范围内为1.6V至5.5V
- 写入特性：字节写入时间不超过5 ms；页写入时间不超过5 ms
- 支持随机和顺序读取模式
- 整个存储阵列可写保护
- 增强型ESD/闩锁保护
- 写入周期超过400万次
- 数据保留时间超过200年
- M95020-WDW6TP
- M24C02-DRDW3TP/K
- M93C46-RMN3TP/K
- S25FL128SAGMFB013
- 24AA04T-I/ST
- MT41K256M16TW-107 AAT:P TR
- BR24T04FVM-WTR
- BR24G01FV-3GTE2
- AT24C128C-MAHM-E
- 24AA01HT-I/LT
- BR24T02F-WGE2
- AT24C32D-MAHM-E
- BR34E02FVT-3E2
- S-24C02DI-A8T1U5
- BR93G66FJ-3GTE2
- 93LC56BT-I/MC
- BR24T01FVM-WTR
- BR93G56FVT-3AGE2
- 34AA02T-E/ST
- AT25DN256-SSHF-T
- BR24G64FVT-3AGE2