BR24G64FVT-3AGE2
64Kbit I2C接口串行EEPROM,支持1.6V至5.5V工作电压
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- 描述
- BR24G64FVT-3AGE2是一款64Kbit的I2C接口串行EEPROM,支持1.6V至5.5V的工作电压,具有低功耗和高可靠性的特点。该芯片支持高达100万次的写入周期,数据保持时间为40年。
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- BR24G64FVT-3AGE2
- 商品编号
- C2061275
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 64Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 1MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 40年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置上电复位(POR);硬件写保护功能;噪声抑制功能 | |
| 工作电压 | 1.6V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 2mA | |
| 待机电流 | 2uA | |
| 读取访问时间(tA) | - |
商品概述
BR24G64-3A 是采用 I²C 总线接口方式的串行 EEPROM。
商品特性
- 采用 I²C 总线接口,2 线制,通过 SCL 和 SDA 控制
- 工作电压 1.6V 至 5.5V,单电源工作
- 1.7V 至 5.5V 时可进行 1MHz 操作
- 支持页写模式,页写数据可达 32 字节
- 位格式 8K×8bit
- 自定时编程周期
- 低电流消耗
- 写错误防止
- WP 写保护功能:WP 接 VCC 为高电平时禁止所有地址数据重写;接 GND 为低电平时允许数据重写;不要悬空
- 低电压误动作防止:LVCC 电路在低电源时防止数据重写和写错误;LVCC 电压典型 1.2V 或以下时禁止数据重写
- 写周期超过 100 万次,数据保持超过 40 年
应用领域
- 电池供电设备
- 微控制器系统,节省端口
- I²C 总线多器件通信系统
- 需要串行 EEPROM 数据存储的电子设备
- 需要写保护、低电压写错误防止和噪声滤波的场景
- 需要随机读、当前读和顺序读操作的场景
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