R1LV5256ESA-5SI#S1
256Kb 高级 LPSRAM
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 是低电压256Kbit静态RAM,组织形式为32,768字×8位,采用高性能0.15um CMOS和TFT技术制造。实现了更高的密度、更高的性能和低功耗。适用于简单接口、电池供电和电池备份为重要设计目标的内存应用。采用28引脚SOP和28引脚TSOP封装。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- R1LV5256ESA-5SI#S1
- 商品编号
- C2061279
- 商品封装
- TSOP-28-8.0mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 读写时间 | 55ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 600nA | |
| 功能特性 | - |
- 71V416S12PHG8
- R1LV0108ESA-5SI#S1
- 71024S20YGI8
- 71024S15YGI8
- R1LP5256ESA-5SI#S1
- R1LP0108ESF-5SI#S1
- R1LP0108ESA-5SI#S1
- 71024S20YG8
- 71024S20TYG8
- RMLV1616AGSA-5S2#KA0
- RMLV0414EGSB-4S2#HA1
- R1LP0408DSB-5SI#S1
- 71V416S12PHGI8
- 71V416S15PHGI8
- RMLV0816BGSA-4S2#KA0
- 71016S12PHG8
- 71V416L15PHG8
- 71V016SA12PHG8
- 71V016SA15PHG8
- RMLV0416EGSB-4S2#HA1
- 71V016SA10PHG8
- 24LC02BT-I/ST
- BR93G46FJ-3GTE2
- BR25H256F-2ACE2
- 24CW320T-I/ST
- BR24G32FVT-3GE2
- AT24C32E-MAHM-T
- 24LC16BT-I/OT
- M95040-WDW6TP
- S29AL016J70BFA023
- BR24G32FVJ-3GTE2
- M24C04-DRDW3TP/K
- BR24G02FJ-3AGTE2
- S-24C02DI-T8T1U5
- BR93G56FVM-3BGTTR
- AT25020B-MAHL-T
- 24AA04HT-I/MNY
- 93LC56BT-E/OT
- BR93G56NUX-3ATTR
- BR24T04NUX-WTR
- 11AA02UIDT-I/TT
- 24LC04BT-E/OT

