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M93C46-WDW6TP

16K位、8K位、4K位、2K位和1K位（8位或16位宽）MICROWIRE串行访问EEPROM

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描述: 1 Kbit（8位或16位宽）MICROWIRE串行访问EEPROM
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M93C46-WDW6TP
商品编号: C2061219
商品封装: TSSOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.23克(g)

商品参数

商品概述

M93C46（1 Kbit）、M93C56（2 Kbit）、M93C66（4 Kbit）、M93C76（8 Kbit）和M93C86（16 Kbit）是通过MICROWIRE总线协议访问的电可擦可编程存储器（EEPROM）器件。存储器阵列可配置为字节（x8b）或字（x16b）模式。M93Cx6-W器件的工作电压范围为2.5 V至5.5 V，M93Cx6-R器件的工作电压范围为1.8 V至5.5 V。所有这些器件的时钟频率为2 MHz（或更低），工作环境温度范围为-40℃至+85℃。

商品特性

采用行业标准MICROWIRE总线
单电源电压选项：M93Cx6-W为2.5 V至5.5 V，M93Cx6-R为1.8 V至5.5 V
双组织模式：字（x16）或字节（x8）
支持字节、字或整个存储器的编程指令
带自动擦除的自定时编程周期（5 ms）
编程期间提供READY/BUSY信号
时钟速率为2 MHz
支持顺序读取操作
增强的ESD/闩锁性能
写入周期超过400万次
数据保留超过200年
提供ECOPACK2（符合RoHS标准）和无卤素封装：DFN8、SO8N、TSSOP8
内置上电复位（POR）电路，防止上电期间意外写入操作
组织选择（ORG）引脚允许将存储器阵列配置为字节（x8）或字（x16）模式

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	-
	存储容量	1Kbit
	时钟频率(fc)	2MHz
	写周期时间(Tw)	5ms
	数据保留 - TDR(年)	200年
	写周期寿命	400万次

	属性	参数值
	功能特性	内置上电复位(POR)；噪声抑制功能
	工作电压	2.5V~5.5V
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	2mA
	待机电流	3uA
	读取访问时间(tA)	-