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M24C04-DRMN8TP/K

4K位串行I2C总线EEPROM 105℃工作温度

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描述: 4 Kbit串行I2C总线EEPROM，105°C工作温度
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M24C04-DRMN8TP/K
商品编号: C2061089
商品封装: SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.106667克(g)

商品参数

	属性	参数值
	功能特性	内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；噪声抑制功能；内置错误纠正码(ECC)功能
	工作电压	1.7V~5.5V
	工作温度	-40℃~+105℃
	工作电流	2mA
	待机电流	3uA
	读取访问时间(tA)	450ns；900ns

商品概述

M24C04-DRE是一款4-Kbit串行EEPROM设备，工作温度最高可达105℃，符合AEC-Q100等级2的可靠性标准。该设备通过简单的串行I²C兼容接口访问，接口运行速度最高可达1MHz。内存阵列基于先进的真EEPROM技术（电可擦可编程存储器），为字节可更改存储器（512×8位），组织为32页，每页16字节，其数据完整性通过嵌入式错误校正码逻辑显著提升。M24C04-DRE提供额外的16字节识别页，可读取ST设备标识，也可用于存储敏感应用参数，之后可永久锁定为只读模式。

商品特性

兼容所有I²C总线模式（1MHz、400kHz、100kHz）
内存阵列：4Kbits（512字节）EEPROM，页大小16字节，额外可写锁定页（识别页）
扩展温度和电压范围：-40℃至105℃；1.7V至5.5V
施密特触发器输入用于噪声过滤
短写入周期时间：字节写入在4ms内，页写入在4ms内
写入周期耐久性：25℃下400万次，85℃下120万次，105℃下90万次
数据保留：105℃下超过50年，55℃下200年
ESD保护（人体模型）：4000V
封装类型：TSSOP8（DW，169mil宽）、SO8（MN，150mil宽）、WFDFPN8（MF，2×3mm）
封装符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK2®）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	I2C
	存储容量	4Kbit
	时钟频率(fc)	1MHz
	写周期时间(Tw)	4ms
	数据保留 - TDR(年)	50年
	写周期寿命	400万次