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G200P04S2
P沟道 耐压:40V 电流:9A
- 描述
- 类型：P+P沟道 漏源电压(Vdss)：-40V 连续漏极电流(Id)：-9A 阈值电压(Vgs(th))：-2.5V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：16mΩ@10V 20mΩ@4.5V 封装：SOP-8 Dual
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G200P04S2
- 商品编号
- C20199881
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.365nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 208pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 221pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
G200P04S2采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于各种应用场景。
商品特性
- VDS -40V
- ID(VGS = -10V时) -9A
- RDS(ON)(VGS = -10V时) < 20 mΩ
- RDS(ON)(VGS = -4.5V时) < 25 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源开关-DC/DC转换器