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G200P04S2
P沟道 耐压:40V 电流:9A
- 描述
- 类型：P+P沟道 漏源电压(Vdss)：-40V 连续漏极电流(Id)：-9A 阈值电压(Vgs(th))：-2.5V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：16mΩ@10V 20mΩ@4.5V 封装：SOP-8 Dual
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G200P04S2
- 商品编号
- C20199881
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- N沟道、逻辑电平
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷x导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的反向恢复电荷（Qrr）
- 高雪崩能量额定值
- 175°C工作温度
- 针对高频开关和同步整流进行优化
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准为无卤产品
- 根据J - STD - 020标准分类为MSL 1级