温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
G900P15K
P沟道 150V 35A
- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-150V 连续漏极电流(Id)：-35A 阈值电压(Vgs(th))：-4.0V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：65mΩ@10V 封装：TO-252
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G900P15K
- 商品编号
- C20199892
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 198W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.918nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 106pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 149pF |
商品概述
GT023N10T采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- Vds：100V
- ID（VGS = 10V时）：226A
- RDS(ON)（VGS = 10V时）：2.7mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器
相似推荐
其他推荐