温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
G58N06F
N沟道 耐压:60V 电流:35A
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：35A 阈值电压(Vgs(th))：2.4V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：10mΩ@10V 封装：TO-220F
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G58N06F
- 商品编号
- C20199889
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.006nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 143pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 161pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
G58N06F采用先进的沟槽技术,具备出色的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于广泛的应用场景。
商品特性
- VDS 60V
- ID (VGS = 10 V 时)35A -RDS(ON)(VGS = 10 V 时)< 13 mΩ -RDS(ON)(VGS = 4.5 V 时)< 15 mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器