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G2K3N10L6
双N沟道增强型功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具有低导通电阻和低栅极电荷
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- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G2K3N10L6
- 商品编号
- C20199891
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 536pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 103pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
G2K3N10L6采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS:100V
- 漏极电流ID(栅源电压VGS = 10V时):3A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 10V时):< 220mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 4.5V时):< 230mΩ
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器