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10G04S
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:10A
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- 描述
- 特性：超低栅极电荷。 有绿色环保器件可供选择。 100%保证 EAS。 出色的 CdV/dt 效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：电池开关。 负载开关
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 10G04S
- 商品编号
- C20071215
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.201克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 7.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
优惠活动
购买数量
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