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40P02
1个P沟道 耐压:20V 电流:40A
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- 描述
- 40P02是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40P02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，并通过了全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 40P02
- 商品编号
- C20071217
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4732克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.63nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 211pF |
商品概述
2305A是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 2305A符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证抗雪崩能力(EAS)
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术