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80P04实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

80P04

1个P沟道 耐压:40V 电流:80A

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描述
80P04是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。80P04符合RoHS标准和绿色产品要求,经全面功能可靠性认证,百分百保证符合EAS标准。
品牌名称
HL(富海微)
商品型号
80P04
商品编号
C20071221
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.4752克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))11mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)81W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)110nC@10V
输入电容(Ciss)5.295nF
反向传输电容(Crss)385pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)430pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 9

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