温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2305A
1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 2305A是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。2305A符合RoHS标准和绿色产品要求，且已通过全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 2305A
- 商品编号
- C20071223
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 830pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 132pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 25 V
- 漏极电流（ID） = 0.22 A
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V 时，导通电阻（RDS(on)） < 4.0 Ω
- 栅源电压（VGS） = 2.7 V 时，导通电阻（RDS(on)） < 5.0 Ω
- 沟槽功率中压 MOSFET 技术
- 电压控制小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
- 电池供电系统
- 固态继电器
- 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
相似推荐
其他推荐