温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 358pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品特性
- 薄型、节省空间封装
- 标准电平栅极驱动器
- 低导通电阻
- 快速开关时间
- 低栅极电荷
- 雪崩额定值
- 符合RoHS（豁免条款7a）
- 符合REACH法规、无冲突矿物
- 扁平、节省空间的封装形式
- 标准电平栅极驱动
- 低导通电阻
- 快速开关时间
- 低栅极电荷
- 雪崩特性
- 符合RoHS（豁免条款7a）
应用领域
- DC/DC转换器
- 电源
- 直流驱动器
- 电动工具
- 同步整流器
- 直流转换器
- 电源供应
- 直流驱动器
- 电动工具
- 同步整流器
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