温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
40P03
1个P沟道 耐压:30V 电流:35A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：超低栅极电荷。 有环保产品可供选择。 出色的Cdv/dt效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术。 100% EAS保证。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 40P03
- 商品编号
- C20071218
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4656克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 139pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品特性
- VDS = 30V
- ID = 0.1A
- 在VGS = 4V时，RDS(on) < 8Ω
- 在VGS = 2.5V时，RDS(on) < 13Ω
- 沟道功率低压MOSFET技术
- 高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- 高速开关
应用领域
- 接口连接-负载开关