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2302
1个N沟道 耐压:20V 电流:3.6A
- 描述
- 2302 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。2302 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 2302
- 商品编号
- C20071216
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.05W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.23nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 37pF |
商品特性
- 当VGS = 10 V、ID = 200 A时，RDS(ON) = 2.3 mΩ
- 当VGS = 9 V、ID = 200 A时，RDS(ON) = 2.5 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力