- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VS-ENM040M60P
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 174W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | - | |
| 集电极电流(Ic) | 42A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 135A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 240nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 7.5nF | |
| 输出电容(Coes) | 378pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 5pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 43ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 160ns | |
| 导通损耗(Eon) | 530uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 190uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 211ns | |
| 工作温度 | - |
商品概述
EMIPAK 1B 封装由于采用了压配引脚，因此易于使用。外露的基板可提高散热性能。优化的布局还有助于减少杂散参数，从而实现更好的 EMI 性能。
商品特性
- E 系列功率 MOSFET 搭配快速体二极管
- 槽栅和碳化硅二极管技术
- 晶闸管相位控制
- 外露的氧化铝（Al₂O₃）基板，热阻低
- 低输入电容
- 低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 Qg
- 低内部电感
- 参考 AQG324 指南进行认证
- 压配引脚锁定技术 专利信息：www.vishay.com/patents
- 材料分类：有关合规定义请见 www.vishay.com/doc?99912