- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | IGBT模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 517W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 144A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 450A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.83V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 488nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 111ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 454ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.34mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 3.77mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 72ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽 IGBT 技术
- 第 4 代 FRED P 反并联二极管，具有超软反向恢复特性
- 极低的开关损耗
- A2O3 DBC
- 获得 UL 认证，文件编号 E78996
- 专为工业级别设计