- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 1.363kW | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 375A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 850A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.67V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.97uC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 337ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 594ns | |
| 导通损耗(Eon) | 12.8mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 12.9mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 141ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽场截止型IGBT技术
- 6μs短路能力
- 低VCE(on)
- 方形反向偏置安全工作区（RBSOA）
- 带超软反向恢复特性的FRED P（上标†和®）反并联二极管
- 行业标准封装
- A₂O₃直接键合铜（DBC）
- UL认证待批
- 工业级设计